收藏本站
NP22N055HLE, NP22N055ILE, NP22N055SLE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Threshold Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(th)
TEST CONDITIONS
V DS = 55 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
MIN.
1.5
TYP.
2.0
MAX.
10
± 10
2.5
UNIT
μ A
μ A
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = 10 V, I D = 11 A
5
10
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Note
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
R DS(on)3
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G1
Q G2
Q GS
Q GD
V F(S-D)
t rr
Q rr
V GS = 10 V, I D = 11 A
V GS = 5.0 V, I D = 11 A
V GS = 4.5 V, I D = 11 A
V DS = 25 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 28 V, I D = 11 A
V GS = 10 V
R G = 1 ?
V DD = 44 V, V GS = 10 V, I D = 22 A
V DD = 44 V
V GS = 5 V
I D = 22 A
I F = 22 A, V GS = 0 V
I F = 22 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
29
35
37
730
110
52
9.0
6.0
32
5.4
15
9
3
4.5
1.0
37
45
37
45
51
1100
170
95
20
16
65
14
23
14
m ?
m ?
m ?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 ?
50 ?
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 ?
V DD
Data Sheet D14136EJ4V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP32N055SHE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
NP32N055SLE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
NP34N055SHE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
NP34N055SLE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
NP36N055SHE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 36A TO252
NP36N055SLE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 36A TO-252
NP36P04KDG-E1-AY MOSFET P-CH -40V -36A TO-263
NP36P04SDG-E1-AY MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
相关代理商/技术参数
NP22N055-SLE-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP-22-U7/8-HP 制造商:Bahco 功能描述:
NP23 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 2 BOX MT BLANK, BR
NP2300SAMCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP2300SAT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 230V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP2300SBMCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP2300SBT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 230V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP2300SCMCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA